https://vital.lib.tsu.ru/ vital/access/manager/Index en-us 5 https://vital.lib.tsu.ru/ vital/access/manager/Repository/koha:000721720 Tue 21 Jun 2022 16:57:37 KRAT ]]> https://vital.lib.tsu.ru/ vital/access/manager/Repository/koha:001143934 (0.001 ≤ x ≤ 0.05) при ∼ 77–300 К. Выяснено, что при низких дозах γ-облучения твердого раствора Bi0.85Sb0.15 в нем образуются дефекты в виде одиночных межузельных атомов и одиночных вакансий, которые приводят к росту концентрации свободных электронов n, электропроводности σ, теплопроводности χ и уменьшению коэффициента термоЭДС α и Холла RХ. С ростом дозы облучения, в процессе последующей перестройки во время облучения, возможно образование сложных дефектов, что приводит к их объединению, уменьшению концентрации носителей тока и соответствующему изменению σ, α, χ и RХ.]]> Fri 11 Jul 2025 09:05:07 KRAT ]]>